润滑与密封

作者：寇青明，钮市伟，王永光，朱玉广，谢雨君，雷翔宇

单位：苏州大学机电工程学院,,苏州大学机电工程学院,,苏州大学机电工程学院,,苏州大学机电工程学院,,苏州大学机电工程学院,,苏州大学机电工程学院,

关键词：GaN;电化学刻蚀;化学机械抛光（CMP）;表面粗糙度;去除速率

基金：秦惠莙与李政道中国大学生进修基金项目；国家自然科学基金项目（51775360）

为研究添加剂对氮化镓（GaN）晶片化学机械抛光（CMP）材料去除率的影响，采用直流电源对n型GaN晶片进行电化学刻蚀，利用X射线光电子能谱（XPS）和原子力显微镜（AFM）研究电诱导辅助下GaN晶片CMP过程中，对苯二甲酸（PTA）和H2O2对其材料去除的影响。结果表明：在添加电流的条件下，随着H2O2体积分数增大，GaN材料去除率先升高后降低；随着PTA浓度的增加，GaN材料去除率先增加后减少；在H2O2体积分数为4%，PTA浓度为10 mmol/L 条件下，GaN晶片的化学机械抛光材料去除率最高，为693.77 nm/h，抛光后GaN晶片表面粗糙度为0.674 nm;通过XPS分析，电诱导后GaN晶片表面的H2O2含量增加，表明电流作用促进了GaN材料表面的氧化腐蚀作用，进而提高了其CMP材料去除速率。

来源：2020年第2期

《润滑与密封》期刊编辑部

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