润滑与密封

作者：夏永，陈国美，倪自丰，王浩，钱善华，卞达，赵永武

单位：江南大学机械工程学院,,无锡商业职业技术学院机电技术学院,,江南大学机械工程学院,,江南大学机械工程学院,,江南大学机械工程学院,,江南大学机械工程学院,,江南大学机械工程学院,

关键词：光助芬顿反应;6H-SiC晶片;羟基自由基;化学机械抛光;材料去除率

基金：国家自然科学基金项目(51675232)

为提高6H-SiC晶片化学机械抛光的材料去除率（MRR）并改善其表面质量，采用光助芬顿反应体系对6H-SiC晶片进行化学机械抛光，研究紫外光功率、抛光液pH值、H2O2质量分数和Fe2+浓度对6H-SiC晶片抛光效果的影响。使用原子力显微镜观察6H-SiC晶片表面质量，采用纳米粒度电位仪测量抛光液中SiO2磨粒的粒径分布及Zeta电位，利用可见分光光度法检测溶液中羟基自由基（·OH）的浓度并通过紫外-可见光谱分析紫外光的作用机制。结果表明：引入紫外光提高了6H-SiC的MRR，增大紫外光功率，MRR也随之增加；随pH值、H2O2质量分数和Fe2+浓度的升高，MRR先增大后减小；pH值影响磨粒间的静电排斥力及磨粒的分散稳定性，从而影响6H-SiC的MRR；与采用芬顿反应体系的抛光液相比，采用光助芬顿反应体系的抛光液中产生的·OH数量较多，说明紫外光能够增加反应体系中·OH的数量，从而促进6H-SiC晶片的表面氧化，提高6H-SiC晶片的MRR，并改善其表面质量。

来源：2021年第1期

《润滑与密封》期刊编辑部

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