国内刊号:44-1260/TH
国际刊号:0254-0150
发布日期:
作者:郑晴平,王如,吴彤熙
单位:河北工业大学电子信息工程学院,微电子技术与材料研究所,,河北工业大学电子信息工程学院,微电子技术与材料研究所,,河北工业大学电子信息工程学院,微电子技术与材料研究所,
关键词:硅通孔;化学机械抛光;混合磨料;去除速率;粗糙度
基金:国家科技重大专项02项目(2016ZX02301003-004-007)
磨料的粒径分布严重影响铜膜抛光效果,单一粒径磨料在抛光过程中,部分较大或较小磨料的作用难以准确评估。针对这一问题,采用不同且粒径相近(40、60和80 nm)的磨料混合来表征反映粒径分散性对铜膜抛光的影响,研究单一磨料、2种和3种粒径磨料混合的抛光液对硅通孔铜膜抛光的影响。结果表明:在相同质量分数条件下,不同粒径磨料混合能提高铜膜抛光速率和改善表面质量;2种粒径磨料混合时,粒径差距越大,则抛光速率越快;3种粒径磨料混合时其抛光速率和抛光表面质量优于单一粒径和2种粒径混合,当40、60和80 nm 3种粒径磨料的比例为1∶3∶2时,抛光效果最好。建立铜片与抛光垫之间磨料分布的物理模型,揭示混合磨料提高铜膜去除速率的机制,计算出磨料与铜片的接触面积。
来源:2022年第12期
《润滑与密封》期刊编辑部