润滑与密封

作者：王晓龙，高鹏程，檀柏梅，杜浩毓，王方圆

单位：河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;中国电子科技集团公司第四十六研究所,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,

关键词：β-Ga2O3单晶;线锯切割;切削液;润滑能力;表面质量

基金：国家科技重大专项（2016ZX02301003-004-007）；河北省自然科学基金项目（F2022202072；F2018202174）

为了开发出更适合β-Ga2O3晶片切片的切削液，探讨金刚石线锯切片过程中不同切削液对β-Ga2O3晶片表面质量的影响，通过测量接触角和表面张力，研究不同切削液对β-Ga2O3晶片表面的润湿性。采用粗糙度测量仪、非接触式测厚仪和扫描电镜（SEM）对晶片表面进行测试表征，研究去离子水、添加AEO-9的水基切削液和乳化切削液在不同工艺参数下对切割（010）面β-Ga2O3晶片的表面粗糙度、表面形貌、总厚度变化以及亚表面损伤层深度的影响。结果表明：与去离子水相比，添加AEO-9的水基切削液和乳化切削液均能有效降低β-Ga2O3表面的接触角和表面张力，表明2种切削液均可提高晶片表面润滑性；乳化切削液的效果随着工艺参数的变化而波动很大，只有在低切削热和大切削力的条件下，才能明显优化晶圆表面质量，而水基切削液可稳定地获得较高的晶片表面质量，更适用于β-Ga2O3晶片切割。

来源：2024年第3期

《润滑与密封》期刊编辑部

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