润滑与密封

作者：田雨暄，王胜利，罗翀，王辰伟，张国林，孙纪元，冯鹏，盛媛慧

单位：河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司,,北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司,

关键词：钴;化学机械抛光;抑制剂;去除速率;表面质量

基金：河北省自然科学基金项目（E2019202367）

针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑（BTA）等具有毒性，会污染环境等问题，以SiO2为磨料，在甘氨酸-双氧水体系下，使用单烷基磷酸酯钾盐（MAPK）作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液，通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分析等表征方式揭示MAPK在化学机械抛光（CMP）中对Co表面质量的改善以及对Co的抑制机制。结果表明：MAPK通过物理吸附和化学吸附方式在Co表面形成的致密钝化膜，可以很好地抑制Co的腐蚀，从而可以在较低的静态腐蚀速率下获取较高的去除速率；加入MAPK可以提高抛光液的润湿性，能够显著改善Co互连抛光后的表面质量，使Co的去除速率大于500 nm/min，静态腐蚀速率小于1 nm/min，表面粗糙度小于0.5 nm。

来源：2024年第10期

《润滑与密封》期刊编辑部

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