润滑与密封

作者：李丁杰，周建伟，罗翀，王辰伟，孙纪元，杨云点，冯鹏

单位：河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室,,北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司,,北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司,

关键词：化学机械抛光;去除速率选择性;表面粗糙度;聚二烯丙基二甲基氯化铵

基金：国家自然科学基金项目（62074049）

为了提高钨(W)和SiO2在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比，提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO2去除速率的抑制剂；以普通硅溶胶为磨料，研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO2去除速率以及表面粗糙度的影响，并探究PDADMAC在CMP过程中对W和SiO2的不同作用机制。结果表明：随着PDADMAC添加量的增加，W的去除速率小幅度下降，SiO2的去除速率大幅度下降，从而提高了W和SiO2之间的去除速率选择比；PDADMAC会在W表面发生静电吸引作用和在SiO2表面发生吸附作用，这些作用会明显增加W和SiO2的去除速率选择比和改善W和SiO2镀膜片的表面质量；以PDADMAC为抑制剂，使用普通硅溶胶为磨料即可实现较高的W去除速率和较高的W和SiO2去除速率选择比。

来源：2024年第11期

《润滑与密封》期刊编辑部

查看润滑与密封杂志2024年第11期