润滑与密封

北大核心,CA,JST,CSCD扩展版,WJCI

国内刊号:44-1260/TH

国际刊号:0254-0150

润滑与密封杂志2025年第4期:脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响

发布日期:

作者:曹钰伟,王胜利,罗翀,王辰伟,张国林,梁斌,杨云点,盛媛慧

单位:河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司,,北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司,

关键词:高K金属栅结构;化学机械拋光;脂肪醇聚氧乙烯醚;去除速率;多晶硅

基金:河北省自然科学基金项目(E2019202367)

为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和多晶硅的速率选择比最高,达到了3.8,并且改善了铝和多晶硅的CMP后的表面质量,表面粗糙度分别为0.756、0.324 nm。电化学、XPS、接触角、表面张力表征结果表明,表面活性剂AEO9可以在被抛材料Al和多晶硅晶圆表面形成致密的吸附膜,从而通过影响抛光中的机械摩擦作用和化学作用,使抛光材料去除速率减小,并减小了Al和多晶硅晶圆表面的粗糙度。

来源:2025年第4期

《润滑与密封》期刊编辑部

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