润滑与密封

作者：刘德正，周建伟，罗翀，王辰伟，王雪洁，张国林，田雨暄，孙纪元

单位：河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,,河北工业大学电子信息工程学院;河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室,

关键词：椰油酰胺丙基甜菜碱;多晶硅;二氧化硅;氮化硅;化学机械抛光;选择比

基金：国家自然科学基金项目（62074049）

为提高多晶硅化学机械抛光（CMP）过程中对SiO2和Si3N4的去除速率选择比，通过抛光实验、接触角分析、XPS光电子能谱分析和AFM测试等手段，分析了椰油酰胺丙基甜菜碱（CAB）对多晶硅CMP的影响。结果表明：CAB的加入降低了抛光过程中的温度和摩擦力；当CAB质量分数为0.03%时，多晶硅去除速率降低至151.5 nm/min，降幅约为15.8%，但CAB提高了抛光液的润湿性，使多晶硅CMP后的表面粗糙度降至0.93 nm；在碱性条件下，由于多晶硅、二氧化硅、氮化硅表面ζ电位的差异，CAB通过氢键优先吸附在SiO2和Si3N4表面，从而将二者的去除速率抑制至1 nm/min左右，此时多晶硅对SiO2和Si3N4的去除速率选择比均达到120∶1以上，满足了实际生产要求。

来源：2025年第5期

《润滑与密封》期刊编辑部

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